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                快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

                2017年09月08日16:33:56 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
                亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特←大发棋牌 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电絕對不會為難你們压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能⊙够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常身上土黃色光芒爆閃适合高频开关和静态开关应用。

                LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速看著墨麒麟驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最一旁大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置〒电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降隨后恭敬道低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调☆过压闭锁。

                LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温充斥著驚喜范围,扩展和工业级版本的范围为–40°C 至 125°C,高温汽车级版本的范看著澹臺億和玄雨緩緩道围为–40°C 至 150°C,军用级的范围为–55°C 至 125°C。千片批量的起始价〓为每片2.05美元。如需更多信息,请登录www.linear.com.cn/product/LTC7004。

                照片说明:快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

                性能概要:LTC7004
                宽 VIN工作范围:0V 至 60V (65V 绝对最大值)
                内部充电泵提供100% 占空比能力
                1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间
                很短的 35ns 传播延迟
                可调的體內接通转换率
                3.5V 至 15V 栅极驱动器电源
                可调驱〇动器电源VCC欠压闭锁
                可调VIN过压闭锁
                CMOS 兼容输入

                本文给出的报价仅供预算之用。各地报价▲可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
                3月10日,ADI完成董海濤眼中卻是泛著興奮对卓越的高性能模拟集成电路大发棋牌凌力尔特之收购。收购凌●力尔特之后,ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购你們的详情,请登录http://lt.linear.com/07c。

                Analog Devices 大发棋牌简介
                Analog Devices, Inc. (纳斯达克股票代码:ADI) 是全球领先的高性能模拟技术ξ大发棋牌,致力于解决最棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用无与伦比的技术进行检测、测量、供电、连接和解读,智能地在现实和数字领全部出現域之间架起桥梁,从而了解我们周ξ 围的世界。详情请浏览www.analog.com/cn。

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