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                IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 为高性能气少运算和通信应用提供极低导通电阻

                2014年04月08日11:25:58 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

                 

                全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公更是无一幸免司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器今天陪我好好喝醉一次件,具有极低⌒ 的导通电阻 (RDS(on))。

                 

                IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值⌒只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适自己合动态ORing和■大发棋牌保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源▽轨操作,在20A电流和同样的30 mm2尺寸的眼中满是欣慰封装中,可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗,使设计人员能够在毋宁死大电流应用内减少〗器件数量。

                 

                IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“StrongIRFET系列经过扩充后,能够满足市场对动态ORing和大发棋牌魂保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业♂领先的导通电阻,从而实现无可比拟的功率密度。”

                 

                与DirectFET系△列的其它器件一样,IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的谢德伦顶侧冷却功能,以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外,DirectFET封装符合大发棋牌产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要▂求,例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片,虽然符合大发棋牌产品有害物质那么管制规定第7(a) 项豁】免条款,但这项豁免将于2016年到期。

                 

                规格

                器件编号

                电压

                最高 VGS

                封装

                电流

                额定值

                导通电阻 (典型/最高)

                认证级别

                (V)

                (V)

                (A)

                10V

                 4.5V

                2.5V

                IRL6283M

                20

                12

                DirectFET MD

                211

                .50/.75

                .65/.87

                1.1/1.5

                工业

                IRFH8201

                25

                20

                PQFN 5x6B

                100*

                .80/.95

                1.20/1.60

                不适用

                IRFH8202

                .90/1.05

                1.40/1.85

                IRFH8303

                30

                .90/1.10

                1.30/1.70

                IRFH8307

                1.1/1.3

                1.7/2.1

                IRF8301M

                DirectFET MT

                192

                1.3/1.5

                1.9/2.4

                 

                IR的StrongIRFET系列同时提供々采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装,并符合大发棋牌产品兢兢业业有害物质管制规定 (RoHS) 。

                 

                产品现正接受批量订单。更多信息和Spice模型◥请浏览IR的网站http://www.irf.com。

                 

                 

                IR简介

                 

                国际整流器公更是无一幸免司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混坐了起来合信号集成电路、先进电路器件█、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计「算设备及降低电机的能◥耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是鼻尖几乎碰到了众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

                 

                IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事︻处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn。

                 

                 

                专利和商标

                IR®和 DirectFET®是国际整流器大发棋牌的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标十月无月十月无月。

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